魏育新,陈蕊丽

( 中国人民公安大学刑事科学技术学院，北京　100038)



InAs/GaAs量子点激光器增益特性

魏育新,陈蕊丽

( 中国人民公安大学刑事科学技术学院，北京100038)

由于载流子在3个维度受到量子限制，半导体量子点具有类似于原子的分立能级，并展现出许多独特的光学和电学性能.实验研制了InAs/GaAs量子点半导体激光器，分别采用傅里叶级数展开方法和Hakki-Paoli方法准确地测量和表征量子点激光器的模式增益，分析了其增益与损耗.实验结果表明Hakki-Paoli方法受测量系统分辨率影响大，在增益谱峰值附近由其得到的增益明显偏低.采用傅里叶级数展开方法并由测试系统响应函数进行修正，可以获得更准确的增益谱.

半导体激光器；量子点；模式增益

由于载流子在3个维度受到量子限制，半导体量子点具有类似于原子的分立能级，并展现出许多独特的光学和电学性能[1-4].相比于传统的量子阱激光器，半导体量子点激光器具有更低的阈值电流密度、更高的微分增益、更高的温度稳定性以及更高的调制速率等优越性能,有望成为局域网光通信系统及高速信息处理交换系统所需的关键光源，是目前半导体激光器领域的研究热点[5-7].然而，虽然量子点作为有源层具有较高的微分增益，但由于其光限制因子较小，使得其模式增益不高，这就限制了量子点激光器低阈值工作.因此，为优化量子点激光器的性能，对其模式增益的分析就显得极为重要.目前，由激光……