王奥运， 胡照文， 陈　蒙， 尹芊奕， 廖聪维， 邓联文

(中南大学 物理与电子学院， 湖南 长沙　410083)



面向IGZO-TFT-AMOLED像素电路设计的VTH检测方法研究

王奥运， 胡照文*， 陈蒙， 尹芊奕， 廖聪维， 邓联文

(中南大学 物理与电子学院， 湖南 长沙410083)

由于迁移率高、均匀性好、制备成本低等优势，铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)有望促成有源矩阵有机发光显示器件(AMOLED)的大规模量产。但是IGZO TFT存在阈值电压(VTH)漂移的问题，实用的AMOLED像素电路必须对VTH漂移进行补偿以实现较好的显示效果，而VTH的检测是AMOLED像素电路设计中的关键环节。本文系统研究了VTH检测方法，比较了放电法、充电法、偏置电流法补偿VTH的效果，研究了VTH检测时间和TFT寄生电容等参数的影响。研究结果表明：放电法不能精确地补偿负VTH漂移，充电法需要的VTH检测时间最长，偏置电流法能够达到的补偿精度最高。

IGZO； TFT； AMOLED； 阈值电压补偿

1　引　　言

AMOLED具有自发光、色彩鲜艳、对比度高、响应速度快、功耗低等优点，有望取代薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)成为下一代显示技术的主流[1-3]。AMOLED对于TFT的要求较高，非晶硅(a-Si)TFT和低温多晶硅(LTPS)TFT这两种传统技术并不适合于大尺寸AMOLED显示[4]： LTPS TFT虽然迁移率较高、电学稳定性较好[5]，但是其电学特性的大面积均匀性较差[6]。另一方面，a-Si TFT虽然具有较好的大面积均匀性，但是其迁移率过低，且存在严重的特性漂移。以上这些缺点限制了Si基TFT在大尺寸AMOLED像素电路中的应用。

IGZO TFT是近年来新出现的TFT技术，它兼具迁移率高、均匀性好、制备成本低廉等优点，有可能促进AMOLED实现量产[4]。但是在偏压应力的作用下，IGZO TFT的VTH仍然会存在一定量的漂移[6]。……