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CsI(Tl)晶体的APD前端读出特性研究

2016-11-03张开琪曾国强赖茂林魏世龙

核技术 2016年10期
关键词:信号

胡 浪 张开琪 曾国强 赖茂林 杨 剑 魏世龙

(成都理工大学 地学核技术重点实验室 成都 610059)

CsI(Tl)晶体的APD前端读出特性研究

胡浪张开琪曾国强赖茂林杨剑魏世龙

(成都理工大学地学核技术重点实验室成都610059)

雪崩光电二极管(Avalanche photodiode, APD)体积小、探测效率高、内置增益、对磁场不敏感,但其内置增益、输出脉冲信号的信噪比受偏置电压与温度影响明显。将APD作为CsI(Tl)闪烁晶体的光电读出器件,并配以低噪声的电荷灵敏前置放大器,组成闪烁探测器的探头。在不同的偏置电压与温度下,测试了该探头组成的闪烁探测器的能量分辨率。实测表明,偏置电压、温度将影响探测系统的能量分辨率,在室温且APD两端的偏置电压为370 V时,对能量为662 keV的γ射线能量分辨率为4.98%;在-20-40 ºC内,能量分辨率随温度的降低而提高。

雪崩光电二极管,CsI(Tl)闪烁晶体,偏置电压,温度,能量分辨率

闪烁探测器具有探测效率高、时间响应快、能量分辨率高等优点,主要由闪烁体、光电转换器件及相关电子学器件组成[1]。光电转换器件在闪烁探测器中作用是将闪烁体产生的荧光光子转化成电脉冲信号,光电转换器件输出电脉冲信号的信噪比、输出脉冲信号的线性都对闪烁探测器的能量分辨率有一定的影响。通常选用的光电转换器件有本征光电二极管(PIN photodiode, PIN)、雪崩光电二极管(Avalanche photodiode, APD)、光电倍增管(Photomultiplier tube, PMT)以及硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier, SiPM)。PIN无增益放大、输出脉冲信号信噪比低、出谱效果差;APD体积小、量子效率高、内置增益、对磁场不敏感,但增益小、输出脉冲信号较为微弱;……

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