付丰鸿，罗一鸣，江　秀

(1. 成都锐佳科技股份有限公司，四川 成都 611756；2. 西南交通大学电气工程学院，四川 成都 610031；3. 西南交通大学交通运输与物流学院，四川 成都 610031)



·机电工程·

基于MC33153的IGBT驱动电路设计

付丰鸿1，罗一鸣2，江秀3

(1. 成都锐佳科技股份有限公司，四川 成都 611756；2. 西南交通大学电气工程学院，四川 成都 610031；3. 西南交通大学交通运输与物流学院，四川 成都 610031)

在分析IGBT的保护设计要求和MC33153的驱动特性基础上，设计一种基于MC33153的IGBT驱动电路。该电路采用光电隔离、延时消隐和负载检测等方法使其具有短路保护和自锁功能，既能满足IGBT的外围保护设计要求，又能克服MC33153内部无隔离电路、存在保护盲区和短路不能自锁的不足。实验结果表明，该驱动电路能够对IGBT进行有效驱动和保护。

IGBT；MC33153；驱动电路

IGBT是由MOSFET和双极性晶体管复合而成的一种器件，具有饱和压降低和开关频率高的特点[1-2]，广泛应用在各种电力装置中。它的驱动电路决定了其通态压降、开关损耗、抗过载能力等静态和动态特性[3]，因此，可靠的IGBT驱动和保护是IGBT稳定工作的前提条件。目前，国内外推出了许多针对IGBT驱动的模块[4-5]，如IR2110、M57962、TLP250等，但许多IGBT模块在其电路使用上都有一定局限性。本文介绍一种采用MC33153驱动IGBT的方法，其电路简单易用，既满足IGBT的外围保护设计要求，又克服MC33153在驱动方面的不足，适合于中小功率的IGBT。

1　IGBT外围保护设计分析

1)栅压限幅。如果在IGBT的栅极与源极之间加载超出某限值的导通电压，可能会损坏IGBT；因此，驱动电路栅极应具有限幅电路以保证IGBT正常开通与关断。……