浙江正泰太阳能科技有限公司 ■ 梁吉连刘平 卢玉荣 张剑锋 王仕鹏 黄海燕 陆川

SiNx减反射层对组件抗PID能力影响

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利用管式PECVD工艺，通过调整气体流量比，得到减反射性能较佳的双层SiNx:H膜电池片，再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验，得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明，当折射率＜2.05时，电池片的抗PID效果较差，当折射率＞2.16时，抗PID效果显著；即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果，控制SiNx膜电池片的折射率为2.16±0.02；即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83，淀积2的较佳流量比NH3/SiH4为13.33，在此配比下电池片外观正常，电性能稳定性较好，同时组件抗PID测试300 h后衰减＜5％。

SiNx；减反射层；NH3/SiH4流量比；PID现象

0　引言

电池诱导衰减（potential induced degradation，PID）早几年就已受到业界普遍重视，据相关资料显示，组件在户外使用几年后会出现PID现象，严重情况下会导致组件约40％的功率损失，严重影响光伏系统正常使用。PID现象的真实机理目前还没有科学的论断，但普遍认为是光伏组件在使用过程中与地面接触产生电势差，由于组件表面玻璃内含有金属离子（如钠、钙等），这些离子可能向下运动到电池片内部，导致电池在利用太阳光发电中发生功率损耗及衰减［1］。PID现象通常发生在系统中负电位一端的组件，研究发现，电池片与接地边框之间巨大的负电势差是导致这一现象的直接原因［2］。一些国家和地区已经把抗PID作为组件的关键要求之一，虽然PID的真正原因还没有明确的定论，但各个组件厂和研究机构的数据表明，PID现象与电池工艺、玻璃、EVA、温度、湿度等有关［3］。……