黄河水电光伏产业技术有限公司 ■ 钱俊何凤琴 卢刚 张治 郭灵山

APCVD技术在晶硅太阳电池中的应用研究

黄河水电光伏产业技术有限公司 ■ 钱俊*何凤琴 卢刚 张治 郭灵山

为研究APCVD制备p-n结技术在晶硅太阳电池中的应用，对APCVD的原理及实现方式进行了分析。调节温度及气体流量比例，对APCVD制备PSG进行实验对比，得出随着O2与氢化物的比例的增大，沉积的膜厚先增大后减小，升高温度有助于加快PSG的沉积这一结论。结合APCVD的原理及实现方式对双面太阳电池制备的关键工艺高温共扩散进行方案设计，并进行相应的实验验证，完成了成品双面电池的制作，正面转换效率达到19.68％，背面转换效率为11.66％。

APCVD；双面太阳电池；共扩散

0　引言

常压化学气相沉积（Atmospheric Chemical Vapor Deposition，APCVD）技术属于SCHMID公司的专利技术，在北美光伏企业已有大规模应用。以Sunpower通过此技术实现了n型IBC工业化生产超过22％的电池转换效率为典型，被誉为高效n型电池开发极具潜力的关键性技术。之前，APCVD技术在光伏界的应用处于国外技术封锁阶段，目前刚过技术保密期，因此对该技术的应用研究在国内已逐渐成为热点，同时也具有先导性意义。

1　APCVD的原理

APCVD技术是指在大气压下，把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，然后通过气相化学反应在基体表面上沉积一层固态薄膜的方法［1，2］。

APCVD技术在太阳电池的发射极制备上的应用原理是利用气体源分别在硅片表面沉积一层磷硅玻璃层（PSG）或硼硅玻璃层（BSG），再采用高温推进的方式将P+或B+推进至硅片，在硅片表面一定深度内产出间隙原子和空位，改变晶体结构，从而形成电池发射极。……