晶澳太阳能有限公司 ■ 刘苗赵江雷 王玉肖 张钊 赵朋松

单晶硅与多晶硅电池衰减特性研究

晶澳太阳能有限公司 ■ 刘苗*赵江雷 王玉肖 张钊 赵朋松

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。

直拉单晶；铸锭多晶硅；太阳电池；光致衰减

0　引言

太阳电池和发电技术的大面积推广，对传统化石燃料发电技术形成了强大冲击，在能源日益枯竭和环境污染日趋加剧的今天，其研究备受关注。

太阳电池按照所用材料的区别，主要分为硅材料电池、半导体化合物电池、有机化合物电池，以及近年来研究活跃的钙钛矿电池。其中，硅材料电池中的晶体硅电池又分为单晶硅和多晶硅电池两大类，占据了90％左右的市场份额［1］。众所周知，单晶硅电池光致衰减（LID）一直是困扰行业的一大难题，特别是近年来新开发和产业化的钝化发射极和局部背接触（PERC）电池，其LID值更是高达3％～5％；然而同为p型多晶硅电池的LID却始终较低。同样的掺硼电池，不同的晶体生长方式最终导致不同的LID值。本文着重研究LID的影响因素，以及不同晶体生长方式对LID值的影响。

1　LID的影响因素

影响LID的因素为：1）硼氧（B-O）复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比［2］。2）晶体内部碳（C）含量。高浓度的C对B-O复合体存在抑制作用［3］。3）分凝系数。氧在硅中的分凝系数为1.25，因此对于直拉单晶硅来说，头部的O含量相对较高，尾部相对较低；……