吴开霞，王 博

(1.四川大学锦城学院机械工程系,四川 成都611731)(2.济南玫德铸造有限公司,山东 济南250400)



SiC颗粒化学镀铜工艺研究

吴开霞1，王 博2

(1.四川大学锦城学院机械工程系,四川 成都611731)(2.济南玫德铸造有限公司,山东 济南250400)

吴开霞

化学镀铜在生产中应用比较广泛，但是在化学镀铜过程中的活化工艺所需试剂有毒，并且价格较为昂贵。探讨了取消化学镀铜过程中的活化工艺后，其他工艺条件对SiC镀铜效果的影响规律。经实验分析，获得了化学镀铜实验优化工艺参数为：化学镀铜溶液温度为35 ℃，溶液pH值用氢氧化钠调节至12～13，硫酸铜加入量为12 g/L，甲醛加入量为28 ml/L，酒石酸钾钠加入量为40 g/L，经过一定时间在碳化硅表面得到了良好的铜镀层。通过X射线衍射仪及扫描电镜检测，结果表明：取消了活化工艺后，在碳化硅表面仍然得到了较好的铜包覆层。

碳化硅；化学镀铜；活化工艺

1　前　言

铝基复合材料具有密度小，质量轻，耐腐蚀性好，价格便宜等优点[1]，人们对这类材料研究的兴趣正日益增长。为了改善铝基复合材料的性能，可以通过添加一些添加剂来提高其性能，碳化硅是一种性能优良的非氧化物陶瓷材料，具有高硬度、高耐磨性、耐高温、成本低等优点[2-4]，已经被广泛地应用于颗粒增强体来制备金属复合材料。在金属铝中添加碳化硅颗粒可提高其强度、耐磨性等，但碳化硅颗粒与铝基体之间的润湿性差，使颗粒很难加入和分散。因此改善基体与增强颗粒间的润湿性成为制备SiCp/Al复合材料的前提条件。……