铝薄膜的生长过程的计算机模拟
2016-08-22王翰林赵鹏远长春理工大学吉林长春130022
中国科技纵横 2016年13期
王翰林 赵鹏远(长春理工大学,吉林长春 130022)
铝薄膜的生长过程的计算机模拟
王翰林 赵鹏远
(长春理工大学,吉林长春 130022)
采用动力学蒙特卡洛方法(KMC)对AL薄膜的生长过程进行计算机模拟。运用计算机软件仿真在对基底温度为400K至1100K的不同基底温度下的铝薄膜的生长过程。仿真结果表明:基底温度对AL薄膜的形成与生长有着直接的关系,基底温度与成岛分子数量呈现先增加后减少的趋势,600K以下基本不会形成岛,当基底温度为900K时,岛所形成的形貌最为理想,缺陷率最低。
铝薄膜 薄膜生长 计算机模拟
近五十年来,铝已经成为世界上用途最广泛的金属之一。在建筑行业上,因为铝在空气中的阳极处理后的极佳外观和铝材料的稳定性而受到广泛应用;在航空航天及国防军工部门也广泛使用铝合金材料;在电力输送上则常用高强度钢线补强的铝缆;此外,汽车制造、家用电器、集装箱运输、机械设备、日常用品等领域都大量使用铝及铝合金。研究铝原子薄膜的蒸馏对实际生产生活有重要作用。
文黎巍[1]以铝薄膜的生长为例对蒙特卡洛方法和分子动力学方法进行了比较。宋鹏[2]对金属薄膜缺陷及生长模式进行了有限元分析。王易生[3]对薄膜沉积过程中成核生长机理进行了研究。
本实验采用蒙特卡洛方法,并采用meterials studio软件进行计算机模拟,对相同铝薄膜以不同基底温度进行加热。设置等梯度温度进行实验,找到成岛情况最好,缺陷率最小的优化温度。……
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