王宏

关于二氧化硅的干法刻蚀工艺研究

王宏

（中国振华集团永光电子有限公司 贵州贵阳 550000）

本文利用反应离子刻蚀技术进行了多组刻蚀实验，重点研究了不同的工艺条件下对二氧化硅的刻蚀速率、均匀性性能、选择比等参数。通过对结果的比较和分析，本文得到了相对而言最佳工艺条件。

反应离子刻蚀；选择比；最佳工艺条件

1 反应离子刻蚀技术的基本原理和具体研究方法

1.1 基本原理

反应离子刻蚀技术包含了物理和化学变化的刻蚀工艺，故它既有离子溅射刻蚀技术的特点又有等离子化学刻蚀的特点，其分辨率高，反应速率快。刻蚀的过程是：首先射频辉光放电，然后反应的气体被击穿，最后生成了等离子体。由于等离子体之中一般包含了正、负离；长、短寿命的游离基以及可移动的自由电子，故等离子体易和刻蚀样品的表面发生一些化学反应。同时，离子受到电场力的作用会射向样品的表面，物理轰击这些表面。在物理变化和化学变的作用下，样品的刻蚀工作得以完成。

1.2 研究的基本方法

选取硅片当作衬底的材料，借助CVD的方法在衬底产一层二氧化硅。在沉积的工艺条件基本相同的前提下，改变沉积所需的时间来调整二氧化硅膜的厚度，以保证后续研究是可行的。在上层部位的二氧化硅薄膜基本生长好后，硅片表面膜厚不一定是在均匀分布的，故有必要测量原始的厚度，进而确保膜厚数据的准确性。这里采用的测量仪器是椭偏仪，既能测量出薄膜的厚度和折射率，又具灵敏度高、精度好、操作方便等诸多优点，同时测量不具有破坏性。……