徐小波,张　林,王晓艳,谷文萍,胡辉勇,葛建华

(1.长安大学电子与控制工程学院,道路交通检测与装备工程技术研究中心,陕西西安 710064;2.西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室,陕西西安710071;3.西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西西安 710071)

Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

徐小波1,2,张林1,王晓艳1,谷文萍1,胡辉勇3,葛建华2

(1.长安大学电子与控制工程学院,道路交通检测与装备工程技术研究中心,陕西西安 710064;2.西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室,陕西西安710071;3.西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西西安 710071)

Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和SiGe电路仿真器中的应用.具体为:(1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBIC不能有效描述SiGe HBT中基区Ge组分引入.本文基于SiGe HBT标准化模型Mextram、HICUM对SiGe HBT的建模思想,综述了将其用于建立Early电压模型的方法.(3)总结了现有主流模型对Early效应的建模方法及优缺点.

Early效应;三极管;SPICE;积分电荷控制关系

1　引言

对于硅(Si)和硅锗(SiGe)三极管,输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等等,这些表征器……