仇猛淋，褚莹洁，胥　密，王广甫,2,*

1.北京师范大学 核科学与技术学院，北京师范大学 射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京　100875；2.北京市辐射中心，北京　100875



IBIL在氚增殖材料研究中的应用

仇猛淋1，褚莹洁1，胥密1，王广甫1,2,*

1.北京师范大学 核科学与技术学院，北京师范大学 射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京100875；2.北京市辐射中心，北京100875

摘要：在氚增殖材料辐照效应的研究中，离子激发发光(ion beam induced luminescence，IBIL)是一种高效实用的实时分析技术。本文介绍了国外MeV离子束对多种氚增殖材料的IBIL研究。研究表征了样品中的辐照缺陷特征及其演变情况，对辐照缺陷的产生机制进行了讨论，并提出辐照过程中的相关动力学模型。最后，介绍了北京师范大学串列加速器上IBIL装置应用现状，并对IBIL应用在氚增殖材料研究中的前景进行了讨论。

关键词：氚增殖材料；辐照效应；IBIL

目前核聚变技术的研究热点之一就是氚增殖材料(锂基陶瓷)的相关研究。我国已开展20余年的固态氚增殖材料的制备工作，如Li2O、LiAlO2、Li2ZrO3、Li2TiO3和Li4SiO4等，初步采用锂基陶瓷Li4SiO4材料，同时考虑其他性能优异的材料作为必要的候选材料[1-3]。

氚增殖材料中的锂与中子反应，生成MeV的氚实现氚的“自持”。反应过程中，产生MeV的氚、氦等二次离子与氚增殖材料相互作用，在材料中形成多种类型的缺陷，从而影响氚增殖材料的功能性以及“自持”氚的输运作用。目前从理论计算上预测三元锂基陶瓷中辐照缺陷相关特性还存在一定的困难，需要结合相关实验进行研究。……