平面型CdZnTe探测器电荷收集效率对能谱测量的影响
2016-07-21罗文芸贾晓斌张家磊王林军
上海大学学报(自然科学版) 2016年2期
李 杨,罗文芸,贾晓斌,张家磊,王林军
(1.上海大学环境与化学工程学院,上海200444;2.上海大学材料科学与工程学院,上海200072)
平面型CdZnTe探测器电荷收集效率对能谱测量的影响
李杨1,罗文芸1,贾晓斌1,张家磊1,王林军2
(1.上海大学环境与化学工程学院,上海200444;2.上海大学材料科学与工程学院,上海200072)
摘要:采用蒙特卡洛程序Geant4构建平面型CdZnTe探测器,模拟241Am(59.5 keV)与137Cs (662 keV)两种不同能量射线从阴极面垂直入射探测器.通过在Geant4中添加Hecht方程来计算探测器不同位置处的电荷收集效率.根据模拟输出的能谱,结合能量沉积分布、电子-空穴对分布及其相互作用类型,在考虑电荷收集效率的情况下,研究了探测器能谱测量的变化.结果发现,在考虑电荷收集效率后,能谱向低能部分偏移,偏移程度与最大电荷收集效率紧密相关.
关键词:Geant4;CdZnTe探测器;电子-空穴对;电荷收集效率;能谱
由于CdZnTe材料具有较大的禁带宽度(1.52 eV)和较高的平均原子序数(Cd48,Zn30和Te52),因而CdZnTe探测器对于γ射线具有较高的光电吸收截面,即可以将探测器中沉积的能量高效地转化为电信号输出,并可以在室温下工作.因此,CdZnTe探测器作为新一代化合物半导体探测器,被广泛用于科学研究,尤其是医学成像和天体物理等研究领域[1].但是由于载流子传输性能较低,由CdZnTe探测器产生的电子-空穴对不能被电极完全收集[2-4],导致在全能峰的低能部分出现显著的能谱偏移.为了精确模拟CdZnTe探测器的能谱响应,深入分析能谱畸变的原因,本研究采用蒙特卡……
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