覃爱苗，赵路路，杜为林，孔德霞，覃凤亮，莫荣旺，张开友

有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室，桂林理工大学材料科学与工程学院，广西 桂林 541004

近红外量子点的发光机理研究

覃爱苗，赵路路，杜为林，孔德霞，覃凤亮，莫荣旺，张开友

有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室，桂林理工大学材料科学与工程学院，广西 桂林 541004

近红外量子点具有独特的光学性质，如荧光量子产率高，荧光寿命长，荧光发射波长可调，半峰宽窄且斯托克斯位移较大，耐光漂白能力强等, 及“近红外生物窗口”的优势，使它们在生物荧光标记、太阳能电池、量子化计算、光催化、化学分析、食品检测及活体成像等领域具有巨大的潜在应用价值。目前对近红外量子点的发光机理研究还不够完善，针对国内外的研究现状，重点对核/壳结构的量子点(CdTe/CdSe，CdSe/CdTe/ZnSe等)、三元量子点(Cu-In-Se，CuInS2等)和掺杂型量子点(Cu∶InP等)三种不同类型近红外量子点的发光机理进行了综述。其中，Type-Ⅱ型核/壳结构量子点的发光机理多为带间复合发光，三元量子点以本征缺陷型发光为主，掺杂型量子点多为杂质缺陷型发光。探讨了近红外量子点发光原理存在的问题及发展的方向。对近红外量子点的发光机理进行系统地研究不仅有助于我们理解近红外量子点的发光性质，而且对完善相似高品质量子点的合成方法具有重要意义。

近红外量子点； 核/壳结构； 带间复合发光； 供体-受体重组； 杂质缺陷发光

引 言

近红外半导体量子点的发射波长范围通常在700～2 500 nm，由于它们独特的光学性质，在活体成像[1]，量子化计算[2]，电子和光电设备[3]等方面具有巨大的应用潜力。……