文|子　恒



高玉竹：科学家的报国情怀

文|子恒

高玉竹

1997年到2002年，高玉竹在日本国立静冈大学硕博连读五年，取得了博士学位。日本留学期间，高玉竹向导师山口教授提出，想试试生长这种新材料。

高玉竹，同济大学教授，博士生导师，中国宇航学会光电技术专业委员会委员，国家基金委项目评议人，长期从事新型红外材料的研究，为中国红外材料技术的研发、推广、应用作出了重要贡献。

据了解，由高玉竹教授探求创造的“熔体外延法”，为制造新式红外材料带来新思路、新成效。

铟砷锑（InAsSb）是一种新型的Ⅲ-Ⅴ族红外材料，截止波长能达到5-11微米（中长波红外波段）。但是，由于波长8微米以上的铟砷锑外延层与二元化合物衬底之间的晶格失配度较大，因此很难生长出高品质的长波铟砷锑单晶材料，是一个世界科技难题。

赢得了国际科学界的高度认可

1997年到2002年，高玉竹在日本国立静冈大学硕博连读五年，取得了博士学位。日本留学期间，高玉竹向导师山口教授提出，想试试生长这种新材料。山口教授是一位日本友人，他很支持高玉竹做这个题目，并且提供了设备、实验条件及经费。

“那时候，我除了吃饭和睡觉大部分时间都是呆在实验室里，不停地做实验。”高玉竹说，她做了大量实验，一次在衬底上残留的一层熔液结晶时，为了抑制熔液表面自由结晶，把衬底推到了液槽尾部的压块底下，从而改进了常规液相外延的生长工艺，最终发现了熔体外延法。

高玉竹利用熔体外延法，制备的长波铟砷锑厚膜单晶，外延层的厚度达到100微米，这个厚度有效地抑制了外延层与衬底之间晶格失配的影响，使外延层中的位错密度下降到104cm-2量级，提高了材料的晶体质量。……