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CoFe2O4薄膜的制备及磁性研究

2016-05-30吴钰涵

科技尚品 2016年4期
关键词:磁滞回线磁化强度层数

吴钰涵

摘 要:采用溶胶凝胶旋涂法在LaNiO3-Si(100)衬底上制备不同厚度的CoFe2O4薄膜。分别用XRD、SEM和VSM对其结构和磁性进行分析。结果表明,随着厚度的增加,饱和磁化强度逐渐增强,n=8的样品饱和磁化强度达到了750emu/cm3。

关键词:CoFe2O4薄膜;磁性

尖晶石钴铁氧体CoFe2O4(CFO)薄膜作为一种典型的硬磁材料,被认为是高密度存储媒介优质的候选材料,具有较强的各向异性、室温下高的矫顽力、良好的机械硬度以及化学稳定性。由于CFO薄膜具有的这些特性,使其引起了人们的广泛关注。

常用的CFO薄膜制备方法有以下几种:金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、磁控溅射法、溶胶凝胶(sol-gel)旋涂法、水热法和脉冲激光沉积法(PLD)。sol-gel旋涂法由于制备方法简单、过程可控、产量高、成本低且能够在大面积的衬底上制备薄膜等特点,已经在微电子器件等领域得到应用。本实验采用sol-gel旋涂法在LaNiO3-Si衬底上制备了不同厚度的CFO薄膜,研究了厚度结构及其性能的影响。

1 实验过程

①以Co(NO3)2·6H2O、Fe(NO3)3·9H2O、柠檬酸、聚乙二醇为原料,以酒精和去离子水为溶剂,按比例配制CoFe2O4溶液,静置在空气中72h形成溶胶。②旋涂法制备薄膜。将CFO溶胶滴在LaNiO3-Si衬底上进行旋涂。旋涂仪的转速和时间分别设为4000rmp和30s。再将旋涂之后的硅片放在烤胶台上进行烘烤,200℃保温10min,然后400℃保温20min。重复此步骤2、4、8次,就得到了3个不同厚度的样品。③将得到的样品放在CVD低温退火炉中进行退火,700℃退火10min。这样,就得到了不同厚度的CFO薄膜。

2 结果与分析

图1是样品的XRD图。从图中可以看出,薄膜结晶较好,为多晶结构。图中的衍射峰可以分为两组,其中一组属于LaNiO3,另一组属于CoFe2O4,没有其他相的存在。另外,从图中可以观察到,CoFe2O4的衍射峰强度随着层数的增多而增强,结晶度变好。根据Scherrer公式,得到了CoFe2O4薄膜的晶粒尺寸,2、4、8层CoFe2O4薄膜的晶粒尺寸分别为18.13nm、19.73nm、20.36nm。可以看出随着CoFe2O4层数的增加,晶粒逐渐增大,但增大幅度不明显。

图2是n=8样品的断面FESEM图,薄膜部分已用红色线标出。从图中可以看出,薄膜厚度均匀。经过测量,厚度约为400nm。另外,可以看出CoFe2O4是以颗粒状生长的,颗粒尺寸约为60nm。

图3是对不同层数CoFe2O4薄膜分别平行样品表面测试的磁滞回线图。从图中可以看出,磁滞回线属于典型的铁磁材料的磁滞回线,样品具有不为零的剩余磁化强度(Mr)和矫顽力(Hc)。可以看出,随着层数的增加,样品的饱和磁化强度(Ms)不断增强,n=8的样品Ms达到了750emu/cm3。这是可以理解的,薄膜越厚,薄膜内部的磁畴就越多,当对样品施加磁场的时候,沿着一个方向排列的磁矩就会越多。

3 结论

XRD结果表明,在LaNiO3-Si衬底上成功地制备了CoFe2O4薄膜,没有产生杂相。随着厚度的增加,结晶越来越好。SEM结果表明,CoFe2O4在衬底上以颗粒状生长,颗粒尺寸约为60 nm。磁性分析表明,CoFe2O4的饱和磁化强度随着层数的增加而增强,n=8的样品饱和磁化强度达到了750emu/cm3。

参考文献

[1]Ding,J.W.Cheah,L.Chen,T.Sritharan,J.L.Wang,Electric-field control of magnetic properties of CoFe2O4 films on Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 substrate[J].Thin Solid Films,2012,(522):420-424.

[2]张亚磊,杨成韬,于永杰,等.CoFe2O4 薄膜厚度对其微结构和磁性能的影响[J].电子元件与材料,2010,(2):1-3.

(作者单位:重庆大学城市科技学院)

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