碳化硅单晶炉真空泄漏的检测方法

2016-05-19新疆天科合达蓝光半导体有限公司石河子市832000杜广平

石河子科技 2016年1期

关键词：焊缝检测

(新疆天科合达蓝光半导体有限公司，石河子市，832000)杜广平

碳化硅单晶炉真空泄漏的检测方法

(新疆天科合达蓝光半导体有限公司，石河子市，832000)杜广平

SiC(碳化硅)单晶炉炉室真空密闭性能是衡量单晶炉设备性能好坏的重要因素。在使用单晶炉和维护过程中，采用不同的工艺循序渐进地对单晶炉真空密闭性能进行检验，可提高单晶炉设备的性能。

单晶炉；真空密闭；检漏

1 引言

虽然目前生产SiC(碳化硅)单晶的工艺种类繁多，但大多数SiC(碳化硅)单晶的生长都需要在充有惰性气体的密闭炉室内进行。近年来国内单晶材料行业的生产实践表明，在对单晶炉使用寿命和可靠性的影响上，炉室的真空密闭性已经超过机械运行平稳性和其他技术指标，成为衡量和评判设备性能好坏的第一要素。本文主要介绍在使用SiC(碳化硅)单晶炉和维护过程中，采用不同的工艺循序渐进地对单晶炉真空密闭性能进行检验，从而提高单晶炉设备的性能。

2 SiC(碳化硅)单晶炉的基本结构

单晶炉的炉室内工作温度高达2 400℃甚至更高，故其壳体采用立式双层水冷不锈钢结构的炉体以便通水冷却，单晶炉主体包括∶主真空室、下法兰、上法兰（包括副室）、小炉门、后法兰盖、顶法兰盖、籽晶坩埚等部件，以上这些部件都通水冷却，籽晶杆、坩埚杆等运动部件处要施以动密封，这些都对提高单晶炉整体密闭性增加了难度。同时也对真空密闭性能的检验提出了更高的要求。