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同价位SSD该选哪种闪存

2016-04-28老盖

电脑爱好者 2016年8期
关键词:普通用户东芝三星

老盖

得益于超快的速度和越来越低廉的闪存价格,SSD大有成为PC标配之势。不过受制于先前TLC闪存在使用寿命、读写速度等方面的劣势(图1),使得TLC闪存SSD虽然在价格方面比MLC闪存产品有很大优势,但许多朋友仍在拼命纠结中。如在价格相近的情况下,240GB TLC和120GB MLC这两种SSD究竟该选谁呢?

寿命没必要纠结

MLC和TLC这样不同闪存颗粒间存在着寿命差异是众所周知的事(图2),其中MLC的擦写寿命(P/E)约为3000次~10000次,TLC理论上约为500次~1000次,P/E次数仅达到MLC的零头。我们不能只看数据,从整体来看,由于SSD的主控会自动平衡每个扇区的写入次数,即只有当所有颗粒整体写完一次后才会进行下一轮复写,所以SSD的寿命实际上最终取决于硬盘的实际容量和每日的数据写入量(图3)。

以120GB SSD为例,假设TLC的擦写寿命为500次,那么其允许写入的总数据量为120GB×500=60000GB=60TB。就算是重度电脑用户经常使用电脑进行办公、游戏娱乐等,平均每天的数据写入量也很少会超过20GB,那么一年下来其整体写入量约为20GB×360=7200GB=7.2TB。以此可以得出一款128GB TLC SSD的实际使用年限约为8年,如果SSD的容量为240GB则使用年限为17年,足以满足所有用户的需求了。

上面我们只讲了TLC SSD的寿命理论值,实际上近几年随着各大硬盘厂商在TLC闪存颗粒上的不断发力,SSD的主控技术得到很大改进,信号处理、更强的ECC算法、扩大备用区域的容量增加预留空间等技术的广泛应用,都在一定程度上提高了TLC SSD的可靠性和寿命(图4)。目前TLC的寿命已从原先的500次~1000次P/E提高到了1000次~2000次P/E,这就意味着对于普通用户来说其实并无必要纠结TLC和MLC产品谁使用的年限能更长一些。

性能TLC SSD并不差

尽管单纯的跑分并不能真实、客观地反映出SSD的真实性能,但它至少能给我们一个参考。以使用TLC闪存的英睿达BX200 240GB SSD为例(图5),从AS SSD Benchmark、CrystalDiskMark测试来看该SSD在性能方面的表现,证明其并不比使用MLC闪存的英睿达BX100和MX200逊色多少。

TLC SSD与MLC SSD的唯一差异表现在随机读取方面,和BX100、MX200相比,BX的随机读取速度相差24K~34K IOPS,虽然从数值上来看这一差异并不能算小,但对于普通用户来说,这一差异所能带来的速度体验其实很少。对于大多数普通用户来说,在价格相近的情况下选择240GB的TLC SSD,显然要比选择120GB的MLC产品经济、实用得多。

相同价位选购

在240GB容量的SSD中,有不少价格在300元到500元的优秀产品,除了上面提到的京东售价为369元的英睿达BX200外,还有以下几款产品都值得我们购买。在这个价格区间内暂时推荐三款TLC闪存产品,如果用户希望使用MLC闪存产品,推荐不要降低容量标准而是增加一些预算去购买600元左右240GB以上容量的MLC产品。

威刚SP550 240GB

威刚SP550采用了SMI的SM2256主控,和16nm制造工艺的SK Hynix原厂TLC闪存芯片。SM2256是SMI最新一代主控,传输界面为SATA6Gb/s规格,缓存配备三星DDR3 1333高速缓存。持续读写方面SP550系列的性能大约为500MB/s,而在高队列深度下QD64的随机读写测试中,其IOPS基本可达到72K和78K左右,整体表现可以接受。

OCZ Trion 150 240GB

自被东芝收购后,OCZ的全线产品已全部更换为东芝原厂颗粒,这款OCZ Trion 150定位于入门级市场,而其主控采用了东芝TC58NC1000GBSB-00,缓存是南亚的DDR3L-1600 256MB。闪存是东芝15nm TLC,型号为TC58TEG7THLTA00,单颗容量16GB,双面16颗组成256GB的总容量,实际可用容量240GB。从CrystalDiskMark测试看,OCZ Trion 150读取写入速度分别达到了563MB/S和536MB/S,在入门级SSD中遥遥领先。而在高队列深度下QD64的随机读写速度中,Trion 150的IOPS分别达到了76K和88K,甚至比众多中端和高端顶级产品的速度还要快。

三星750 EVO 250GB

三星EVO系列产品的特点就是高速的TLC产品,主控采用三星自家MGX控制器,搭配三星自家TLC闪存颗粒,使得EVO系列产品无论是在稳定性方面还是可靠性方面都有不错的表现。读写速度方面,750 EVO 250GB分别可达到540MB/s和520MB/s,高队列深度下QD64随机读写速度则均可达到90K IOPS左右。虽然和上两款产品相比推出时间早了一年多,但全套三星主控闪存的整体表现,三星750 EVO系列依然值得用户选择。

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