禹化健，常新安，陈学安，肖卫强，涂　衡

（1.北京工业大学a.材料科学与工程学院；b.北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京100124；2.中国科学院理化技术研究所，北京100190）



硒酸对ZTS晶体生长的影响研究*

禹化健1a，常新安1a，陈学安1a，肖卫强1b，涂衡2

（1.北京工业大学a.材料科学与工程学院；b.北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京100124；2.中国科学院理化技术研究所，北京100190）

摘要：以H2SeO4为添加剂，通过亚稳区宽度和诱导期的测定考察了不同添加浓度下ZTS溶液的稳定性，采用水溶液降温法进行了在同样添加条件下ZTS的晶体生长实验。结果表明，在实验浓度范围内，随着H2SeO4浓度的增大，ZTS溶液稳定性得到一定提高；H2SeO4的添加使ZTS晶体的a向生长速度明显增大，母液包藏减轻；微量的掺入晶体使ZTS晶胞参数略微增大，但晶体结构未发生改变。

关键词：ZTS；硒酸；亚稳区；诱导期；晶体生长

由于键合方式与晶体结构的特殊性，使得不少金属有机配合物晶体成为优良的非线性光学材料，三硫脲硫酸根合锌（[Zn（CS（NH2）2）3SO4]，简称硫脲硫酸锌，即ZTS）便是其中之一[1,2]。该晶体属正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数a=1.1126nm，b=0.7773 nm，c=1.5491nm，V=1.3397nm3，Z=4，具有较大的非线性光学系数、较高的激光损伤阈值、宽的透过范围、较小的角度灵敏度等优点[3]，是一种很有发展前景的新型光学晶体材料。

ZTS晶体的原料成本较低，生长方法简单，能够在合适的温度下从水溶液中生长。但是ZTS在水中溶解度和溶解度温度系数都相对较小，难以生长大尺寸晶体，而且ZTS晶体外形对生长环境比较敏感，生长条件不同得到的晶体外形和质量会有很大不同[4]。……