徐文辉，陈　云，王　立

（扬州国扬电子有限公司，江苏扬州225100）



SiC混合功率模块封装工艺

徐文辉，陈云，王立

（扬州国扬电子有限公司，江苏扬州225100）

摘要：SiC（碳化硅）材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

关键词：SiC；功率模块；回流；键合；点胶；灌胶

1　引言

SiC是自第一代元素半导体材料Si和第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化镓、磷化铟）之后发展起来的第三代半导体材料。采用一、二代传统的半导体材料制作的集成电路与器件无法在高温环境下持续工作，且输出功率低，受高频、高腐蚀等条件的影响严重；与之相比，SiC宽禁带半导体材料具有宽禁带、高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，相应开发的半导体器件及模块在高温下具有良好的转换特性和工作能力，能有效提高转换效率和工作温度，降低对冷却系统的要求，在航空航天、混合动力装置、高效光伏/风电系统、油气钻探、核电设备等领域需在300～500℃工作的高温电路和器件中具有重要的应用价值[1]。同等功率下，相比Si器件，SiC器件体积更小，更容易实现功率模块的小型化及轻量化。

为了提高现有Si器件产品的性能，同时实现元器件的自主可控化，将原模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。……