杨学弦，张峰，刘理军，廖文虎，刘永辉，莫贤通，冯晶

(1.吉首大学 物理与机电工程学院，吉首　416000;2.湘潭大学 材料科学与工程学院，湘潭　411105)



硒化钨拉曼光谱层数效应

杨学弦1，张峰1，刘理军1，廖文虎1，刘永辉2，莫贤通1，冯晶1

(1.吉首大学 物理与机电工程学院，吉首416000;2.湘潭大学 材料科学与工程学院，湘潭411105)

摘要:应用键弛豫理论(BOLS)对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析，得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系。澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因：硒化钨层数增加时，拉曼振动模A1g发生蓝移是由于最近邻原子的影响；成键原子控制着硒化钨拉曼模和模的红移。

关键词：层数；二硒化钨；拉曼频移；有效配位数

1引言

二硒化钨,由二维Se-W-Se 的层状结构构成，层内通过共价键结合,而层间通过范德瓦尔斯结合。大量实验研究表明[1-3],硒化钨薄膜的电子和声子性质具有显著的层数效应：二维纳米硒化钨薄膜厚度减小到单层时,能带结构会从间接带隙过渡到直接带隙；声子谱将随着层数的减少而发生红移或蓝移现象。由于拉曼散射实验(拉曼散射实验：不破坏样品，无损检测且结合计算机技术可达到实时实地的表征)能够较精确地表征薄膜的层数与电子和声子间的关系，因此常选择拉曼散射实验对二硒化钨的层数效应进行表征[4]。

2键弛豫理论

局域键平均近似[10]：对于任意样品，无论是晶体、非晶体、完整或者有缺陷的，只要不发生相变其化学键性质和总数保持不变。……