瑞萨电子第8代IGBT，转换损耗降至新低

瑞萨电子株式会社，宣布推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管的六款新产品，其可将用于太阳能发电系统的功率调节器中的转换损耗降至最低，并减少不间断电源系统中的逆变器应用。推出的六种新产品额定功率分别为650V/40A、50A、75A、1250 V/25A、40A和75A。瑞萨也为带内置二极管的1250V IGBT实现了业界首款TO-247 plus封装，它为系统制造商提供了更大的电路配置灵活性。

凭借电源转换器领域设计低损耗IGBT的专业知识，瑞萨电子优化了第八代IGBT，在过程结构中采用独特的沟槽栅配置。相较于以往的IGBT产品，这些装置具有更快的转换性能，这是IGBT性能指标的一个基本特征，同时，还通过降低饱和电压减少了传导损耗（Vce（饱和））。此外，第八代设备的性能指数与之前的第七代IGBT相比改进了30%，有助于为用户系统降低功耗并改善整体性能。对注重光伏（PV）逆变器、UPS、工业电机驱动器和功率因数校正（PFC）的电力行业主要市场来说，这些更新是必不可少的。

在太阳能发电系统中，当由太阳能电池板由太阳光产生的直流电流过反相电路转换为交流电时，不可避免地会造成一些功率损失。由于大多数这种功耗损失发生在所用的功率器件内，因此降低IGBT功率损耗对用户系统的发电性能具有直接的积极影响。同样，对服务器机房和数据中心的UPS系统来说，电力必须持续流经功率转换器电路，以监测电源是否已中断，这意味着当系统正在运行时，会产生稳定功耗。IGBT性能是减少这种功耗的关键因素。……