申请号: 201510023320.3

【公开号】CN104535253A

【公开日】2015.04.22

【分类号】G01L9/06

【申请日】2015.01.19

【申请人】北京大学

【发明人】刘冠东;崔万鹏;高成臣;郝一龙

【摘 要】公开了一种高温压力传感器及其加工方法，包括硅由敏感膜片、底座、TO管壳。其中敏感膜片采用SOI单晶硅圆片作为基片，在器件层加工电阻及引线互连组成惠斯登电桥，在衬底层进行各向异性腐蚀形成对压力敏感的膜片结构；底座以玻璃片或单晶硅圆片为基片，与敏感膜片进行阳极键合或硅硅直接键合或硅硅介质键合；以TO型金属管壳为外壳实现芯片级封装。本发明用SOI圆片的埋氧层和淀积的二氧化硅/氮化硅钝化层将硅电阻包裹隔离，消除了高温时的漏电流；溅射生长二硅化钛/钛/氮化钛/铂/金多层耐高温欧姆接触电极结构；采用耐高温键合及TO封装工艺，提高传感器高温工作稳定性。解决传统硅基传感器难以在高温环境中长期工作的问题。