佟军民 徐 锋 胡 松

(①许昌职业技术学院，河南 许昌461000；②中国科学院光电技术研究所，四川 成都 610209；③西南科技大学信息工程学院，四川 绵阳 621010)

接近式光刻中基于条纹相位解析的掩模硅片面内倾斜校正研究*

佟军民①②徐 锋③胡 松②

(①许昌职业技术学院，河南 许昌461000；②中国科学院光电技术研究所，四川 成都 610209；③西南科技大学信息工程学院，四川 绵阳 621010)

针对接近式光刻中掩模硅片面内倾斜提出一种条纹相位解析方法。该方法通过2D傅里叶变换结合2D汉宁窗对于掩模硅片在面内发生的倾斜而形成的倾斜条纹进行处理，获得掩模硅片在面内的倾斜角度，进而进行倾斜校正。数值模拟与实验验证了该方法的可行性与有效性。结果表明，该方法能准确获得掩模硅片在面内的倾斜角度并进行校正。

纳米光刻；对准； 面内倾斜；条纹图形分析；相位解析

随着高集成度电路以及相关器件的研发，IC特征尺寸愈来愈小，对光刻分辨力要求也越来越高。如何提高光刻的分辨力成为业界关注的热点问题[1-4]。光刻对准技术作为光刻的核心技术之一，是影响光刻分辨力的重要因素之一，提高对准精度是提高光刻分辨力的一个重要途径[5-9]。基于光栅调制空间相位成像的纳米级对准方法[10-11]，理论上能达到较高的对准精度且具有最好的抗干扰能力。然而，掩模与硅片之间任意一点的倾斜将严重影响对准的精度。针对掩模硅片在空间内的倾斜，周提出了基于两周期相近的光栅作为标记的单点调平方法[12]，并且对掩模与硅片在两个正交方向的关系和倾斜条纹的相位分布进行了详细的介绍与讨论。……