通信用高功率半导体激光调制技术研究

2016-03-16张晋会

环球市场 2016年28期

关键词：模型系统

张晋会

天津中环领先材料技术有限公司

通信用高功率半导体激光调制技术研究

张晋会

天津中环领先材料技术有限公司

随着光通信技术的发展，半导体激光器的调制技术对系统的性能的影响越来越大，发展高功率光源及高码率调制技术受到广泛关注。常用调制技术的功率利用率和带宽利用率来衡量其性能的优劣，也主要根据这两个指标来选择调制方案。所谓功率利用率通常表示为在接收机输入端特定的误码率下，每比特信号能量和噪声功率谱密度的比值。鉴于此，本文主要分析通信用高功率半导体激光调制技术。

高功率；半导体激光；调制技术

1、高功率半导体激光器概述

半导体激光器(简称LD)是利用半导体材料导带中的电子和价带中的空穴的复合来产生受激辐射，具有良好的辐射特性和空间相干性，是光发射机的核心器件。半导体激光器实际上是一个极小的芯片。从其电气性能上来看，LD是一个PN结二极管。具体讲它由三层半导体组成，上、下层分别为N型和P型半导体。中间层为发光层，也称有源层，构成了带状的光波导，其宽度为数微米，厚度在1um以下，长度为0.2mm～0.5mm左右。这个光波导将光波封闭在光波导的内部，并使光波沿着纵向传播。