任 飞，纪志坡，张国帅，万成安

（北京卫星制造厂，北京 100190）

卫星载荷二次电源用MOSFET的抗辐射设计及验证

任 飞，纪志坡，张国帅，万成安

（北京卫星制造厂，北京 100190）

针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应，进行了二次电源用3款MOSFET（IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405）的抗辐射总剂量设计，通过使用钽片加固及合理的结构布局防护使该3款MOSFET的辐照设计余量（RDM）均不小于3。开展总剂量辐照试验验证，对比参数变化得出MOSFET的抗电离总剂量数据，验证了加固设计的有效性。采用经过抗辐射设计的非宇航级元器件将成为空间降成本应用的趋势之一。

二次电源；MOSFET；抗辐射加固；总剂量辐照；试验研究

0 引言

在航天器二次电源设计中，空间飞行器载荷对电源的要求越来越高，仅仅依靠现有的宇航级抗辐射器件和技术已经远远不能满足系统对二次电源的特殊需求，且宇航高等级元器件的可获得性较差，价格也始终居高不下，使得非宇航级元器件的应用需求不断增长。

某卫星载荷二次电源系此种载荷首次自主研发的国产二次电源，需要在元器件的选用上综合考虑应用环境、研制进度及成本等多种因素，其中针对辐射敏感元器件的选用主要考虑以下2条途径[1]：

1）优先采用抗辐射加固器件（选用宇航级器件，具备抗辐射指标）；

2）综合考虑周期、成本等因素，采用低等级元器件，通过抗辐射分析和加固，使元器件满足系统的抗辐射要求。

实际选用中，大部分辐射敏感元器件均按照第1种途径进行选择；……