赵 欢，王国树

（1.中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032；2.西藏军区77505部队，拉萨850000）

碳化硅肖特基器件技术研究

赵 欢1，王国树2

（1.中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032；2.西藏军区77505部队，拉萨850000）

针对碳化硅肖特基二极管的关键技术，促进国内碳化硅肖特基二极管有理论研究走向实际产品并向应用发展，力求解决碳化硅肖特基二极管设计及制造过程中的技术问题，深入分析氧化技术，刻蚀技术，掺杂技术，金属化技术等关键技术，研制出碳化硅肖特基二极管器件，并且器件技术指标良好。器件已应用在开关模式电源的有源功率因数校正和电机驱动器等电源转换方面，达到了漏电流小，通态电阻低，高温工作稳定性良好等要求。

碳化硅；二极管；肖特基；大功率；半导体；电子器件

1 引 言

SiC材料宽的禁带、高的临界击穿电场、高的热导率以及饱和漂移速度高等特点，使其在高温、高压、高频、大功率和抗辐射等方面有非常广泛的应用前景。基于此，对碳化硅电力电子器件的研究与开发因此而蓬勃开展，逐渐深入，进展越来越快。对电力电子器件而言，碳化硅的材料优势并不仅仅在于提高器件的耐压能力，碳化硅电力电子器件能真正进入市场与硅器件竞争，更重要的一面还在其能大幅度降低功率消耗的潜力。这是碳化硅作为制造电力电子器件的一种新材料而使电力电子技术的节能优势更加充分发挥的切入点。碳化硅与硅在电力电子技术领域竞争的另一优势是能够兼顾器件的功率和频率，以及耐高温。……