MgCuZn铁氧体材料阻抗特性的探讨

杜朋艳

(陕西金山电器有限公司陕西 咸阳712000)

摘要研究了CuO含量对MgCuZn(μi=600)铁氧体材料阻抗特性的影响。采用高纯度的原材料，严格控制主配方和生产工艺，制备出高阻抗特性的MgCuZn铁氧体材料，CuO含量在10～12mol%的范围内，MgCuZn铁氧体材料的阻抗特性较好。

关键词MgCuZn铁氧体阻抗探讨

作者简介：*杜朋艳(1982-)，本科，助理工程师；主要从事软磁材料的生产和研发。

中图分类号：TQ174文献标识码：B

随着电子技术的日益发展，特别是数字技术的飞速发展，世界各国对电子设备抗电磁干扰(EMI)的能力非常重视。如何降低电子设备的电磁波干扰成为一项新的研究方向。

抗EMI铁氧体主要是利用铁氧体材料独特的复数磁导率产生的磁损耗机理。铁氧体在交变磁场使用时，其磁导率μ不再是实数而是复数，复数磁导率μ=μ′-jμ″。既有磁能的储存(μ′)又有磁能的损耗(μ″)，这种损耗不是一般的涡流损耗，也不是磁滞损耗，而是由于磁化过程中磁距运动的阻尼(弛像机制)产生的，为磁吸收。随着频率的上升，复数磁导率的虚部(μ″)增大，损耗增大。

普通MgZn铁氧体材料在10～200MHz的阻抗值较低，难以满足对抗电磁干扰的需求。笔者主要研究CuO含量对MgCuZn(μi=600)铁氧体材料阻抗特性的影响。

1实验

1.1原材料

原材料的优劣对制备出高电磁性能的材料起到关键的作用，选择材料一般从化学性能和物理性能两个方面考虑。化学性能主要指原材料的纯度和活性；而物理性能主要考虑颗粒的形状及大小等。在本实验中我们采用的原材料Fe2O3、MgO、ZnO、CuO纯度均在99%以上。……