马荣晶，刘斯扬，魏家行，孙伟锋

（东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京210096）

新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计*

马荣晶，刘斯扬，魏家行，孙伟锋*

（东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京210096）

为了降低栅源寄生电容Cgs，提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件；采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析，重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容Cgs的影响，并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优化设计。结果表明：这种新型结构与传统的射频LDMOS器件结构相比，使得器件的栅源寄生电容最大值降低了15.8%，截止频率提高了7.6%，且器件的阈值电压和击穿电压可以维持不变。

射频LDMOS；栅源寄生电容Cgs；Tsuprem4；优化

射频横向双扩散金属氧化物半导体（RF LDMOS）器件具有线性度好、增益高、以及价格低廉等优势［1-3］，并且其易于和CMOS工艺集成［4］，因此被广泛应用于GSM/CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射和射频通讯领域中［5-6］。

截止频率作为射频LDMOS频率特性的一个重要指标，直接决定了器件的工作频率［7］。提高射频LDMOS的截止频率特性，需要减小LDMOS栅源寄生电容Cgs和栅漏寄生电容Cgd［8］。近年来学者们一直致力于减小栅漏寄生电容Cgd的研究，如Wilson P H［9］等人提出了槽栅结构，电子科技大学的王一鸣和张波［10］等人提出了槽型漂移区结构，而很少有人研究栅源寄生电容Cgs的减小。本文从减小栅源寄生电容Cgs的角度出发，提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件，并借助Tsuprem4工具模拟，分析第二阶梯栅氧的厚度与其下n埋层的掺杂剂量对栅源寄生电容Cgs的影响，并最终给出优化结构。……