2.5 GHz高线性度瓦级CMOS功率放大器的设计*
2015-12-08徐元中
电子技术应用 2015年5期
徐元中,梅 菲
(湖北工业大学 太阳能高效利用湖北省协同创新中心,湖北 武汉430068)
2.5 GHz高线性度瓦级CMOS功率放大器的设计*
徐元中,梅 菲
(湖北工业大学 太阳能高效利用湖北省协同创新中心,湖北 武汉430068)
设计了一个工作于2.5 GHz、最高输出功率达到 31.8 dBm的 CMOS功率放大器(PA),该PA由两级放大器组成,两级放大器均采用全差分电路结构。为了实现1 W以上的输出功率,第二级放大电路由两个完全相同的子放大器组成,然后通过高效率的片上功率合成器将两个子放大器的输出电压相加。片上二次谐波短路电路用来提高PA的线性度,对比没有采用二次谐波短路的PA,采用二次谐波短路后PA的三次谐波失真下降7 dB。该PA采用 TSMC 0.18 μm CMOS设计,采用Agilent ADS软件进行电路仿真和片上无源器件的设计,电路仿真结果表明:在2.5 GHz工作频率点,PA的输入完全匹配(S11=-25 dB),小信号增益达到25 dB,功率增益为19.4 dB,最高输出功率达到31.8 dBm,最高功率附加效率(PAE)达到32.9%,三阶交调失真在输出功率等于22.3 dBm时为-30 dBc。
CMOS;功率放大器;三阶交调失真;二次谐波短路
0 引言
功率放大器(PA)应用于发射机系统,将上变频之后的射频信号进行放大,然后输出到天线发射出去,由于PA处在发射机的末端,所以其线性度直接决定了发射信号的质量。随着现代调制方式越来越复杂,对发射信号的质量要求也更加严格,因此设计一个高线性度的PA成为了一个充满挑战的课题。另一方面,为了实现远距离通信要求,对PA的发射机功率要求也越来越高,目前常见的手机通信协议……
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