3D IC-TSV技术与可靠性研究

2015-11-26贾国庆陈善继

电子技术应用 2015年8期

关键词：工艺模型

贾国庆，林倩，陈善继

(青海民族大学物理与电子信息工程学院，青海西宁 810007)

3D IC-TSV技术与可靠性研究

贾国庆，林倩，陈善继

(青海民族大学物理与电子信息工程学院，青海西宁 810007)

对三维(3 Dimension，3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via，TSV)互连技术进行了详细的介绍，阐述了TSV的关键技术与工艺，比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革工艺等。着重对TSV可靠性分析的重要性、研究现状和热应力分析方面进行了介绍。以传热分析为例，实现简单TSV模型的热仿真分析和理论计算。最后介绍了TSV技术市场化动态和未来展望。

3D-TSV;通孔;晶圆减薄;键合;热可靠性

0 引言

随着半导体制作工艺尺寸缩小到深亚微米量级，摩尔定律受到越来越多的挑战。首先，互连线(尤其是全局互连线)延迟已经远超过门延迟，，这标志着半导体产业已经从“晶体管时代”进入到“互连线时代”。为此，国际半导体技术路线图组织(ITRS)在 2005年的技术路线图中提出了“后摩尔定律”的概念。“后摩尔定律”将发展转向综合创新，而不是耗费巨资追求技术节点的推进。尤其是基于 TSV(Through Silicon Via)互连的三维集成技术，引发了集成电路发展的根本性改变。三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit，3D IC)可以将微机电系统(MEMS)、射频模块(RF module)、内存(Memory)及处理器(Processor)等模块集成在一个系统内[1]，如图 1所示，大大提高了系统的集成度，减小了功耗，提高了性能，因此被业界公认为延续摩尔定律最有效的途径之一，成为近年来研究的热点。