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SiC/Al封装材料制备工艺研究现状

2015-10-24包建勋

科技传播 2015年16期

包建勋

摘 要 立足于满足封装材料服役性能需求,比较了搅拌铸造,粉末冶金,多孔预置体浸渗,喷射共沉积等SiC/Al复合材料的制备工艺,以及由这些工艺制备的复合材料的特性,从而探讨各种工艺在制备电子封装基板材料的适用性。

关键词 SiC/Al复合材料;电子封装;基板材料;制备工艺

中图分类号TF1 文献标识码 A 文章编号 1674-6708(2015)145-0035-01

1 介绍

高体分SiC/Al复合材料优异的机械和热物理性能,使其在电子封装领域具有巨大的潜力[1]。近20年,研究人员对其制备技术进行了积极的探索,开发了若干种高体分SiC/Al复合材料制备方法。目前比较成熟的工艺有搅拌铸造,粉末冶金,液相浸渗,喷射沉积等。采用这些工艺方法生产的零部件已经在汽车发动机制造、航空航天器和电子封装领域获得应用。本文将在工艺适用性和成本、各种工艺所得材料性能以及相应工艺的潜力等,进行比较分析。

2 电子基板SiC/Al复合材料制备工艺

根据制备过程中Al合金基体的物相状态,制备工艺可分为两大类,即固相制备法和液相制备法。固相法包括粉末冶金,液相法则有搅拌铸造,喷射共沉积,液相浸渗。其中浸渗法又根据是否需要外压,分为压力浸渗和无压浸渗。

2.1 固相制备法

粉末冶金工艺[2]的原理是采用机械合金化将SiC颗粒和Al颗粒混合均匀,成型,并在保护气氛下在Al合金熔点以下50~100℃烧结。常压烧结所得复合材料残余气孔率偏高,采用热压烧结或热等静压处理,或将常压烧结件经过热挤压处理,能极大提高材料致密度,从而提高基板材料导热性能和机械性能。……

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