徐大为，姚　进，胡永强，刘永灿，周晓彬，陈　菊

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

抗辐照标准单元库验证方法研究

徐大为，姚进，胡永强，刘永灿，周晓彬，陈菊

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5 μm抗辐照单元库为例，研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路，对单元库进行验证，单元库功能和性能满足设计要求，抗辐射能力达到500 krad（Si）。

抗辐照标准单元；SOI；验证电路

1　引言

运用预先设计好的库单元进行自动逻辑综合和版图布局布线，可以极大地提高设计效率，加快产品进入市场的时间［1］，一个经过验证的准确、可靠的标准单元库是自动化设计的基础。本文以中国电科58所 0.5 μm SOI 抗辐照单元库为例，通过对单元库验证方法的研究，设计了一款单元库验证电路，在58所0.5 μm SOI工艺线进行流片，对单元库功能、性能、D触发器延迟时间、I/O单元抗ESD能力、抗辐照性能等进行了验证。

2　设计与仿真

2.1功能验证

功能模块用来测试内核单元和I/O单元的准确性，需要对每个单元进行测试，通过测试值与真值表进行对比，确认单元的正确性。0.5 μm抗辐照单元库包含所有的154个内核单元和60个I/O单元。验证电路由地址线控制译码器来逐次选择测试的单元，由数据线提供输入和输出，通过比对输入输出是否符合单元真值表来确认单元正确性。图1给出了所有单元的功能仿真波形，与真值表保持一致。

图1　功能模块仿真结果

2.2性能验证