3D V—NAND技术 SSD容量翻番的绝世必杀
2015-09-10
SSD存储容量的逆袭
在很多用户的印象中,SDD就是高速度与低容量的矛盾体,并始终坚信HDD将永远保持容量上的优势。然而,三星却在2015年8月推出了容量高达3.84TB的企业级SSD:PM1633(图1)。这并不是结束,三星还将四块PM1633塞进了一个2.5英寸的空间内(三星将其命名为PM1633a),创造了15.36TB“恐怖”容量的历史。虽然PM1633a的厚度是普通2.5英寸SSD的2倍,但也足以印证一点:SSD容量翻身的时代即将到来。

提升SSD容量的两条路
我们都知道,传统HDD扩容只有两条路,提升单碟容量或塞进更多碟片,而SSD的扩容之路与HDD也是极为相似。将SSD硬盘的外壳剥开(图2),我们可以看到PCB主板上镶嵌着包括主控、缓存和NAND在内的无数芯片,而单颗NAND闪存芯片的容量(类似HDD的单碟容量),以及NAND闪存芯片的数量(类似HDD的碟片数量),就是决定SSD硬盘容量的关键所在了。
问题来了,SSD硬盘主要以2.5英寸(笔记本硬盘形态)、mSATA和M.2三类为主,它们的PCB主板尺寸固定,这意味着它们所能容纳的最大NAND闪存芯片数量也是固定的。特别是对于像42mm长度的M.2 SSD硬盘来说,它们普遍仅能承载1~2颗NAND芯片(图3)。因此,如何提高单NAND闪存芯片的容量,才是SSD未来发展的王道。
传统2D NAND技术的局限性
对CPU而言,其内含晶体管的数量就等同于性能,想在单位面积里塞进更多的晶体管,唯一的方法就是提高制程工艺。以英特尔为例,其CPU制程工艺刚刚实现从22nm向14nm的跨越,于是才换来了更低的功耗与更强的性能。
我们可以将NAND闪存理解为CPU,其存储密度(逻辑单元的尺寸)就等同于晶体管数量,制程工艺越先进,存储密度也就越高,同时也意味着单NAND闪存芯片的容量越大。……
