日前，电工研究所王秋良研究组采用自主研发的高温磁体技术，在国内首次将国产Bi2223内插磁体在15T背场条件下的中心磁场提高到了19.4T @4.2K，有效地解决了国产Bi带导线临界拉伸应力小的问题，将国产Bi带材的应用范围扩展至19T以上的高磁场。

王秋良研究组在国家自然基金的资助下率先采用国产Bi系带材研制高场内插磁体。研究人员采用特殊工艺固化的方式将带材的内层应力层层传递至外层，并采用高强度绑扎的方式，使得内插磁体内部的最大耐环向应力达到 200MPa，有效地解决了国产 Bi系带材临界拉伸应力只有100MPa的技术难题，将国产Bi带材的应用范围扩展至19T以上的高磁场。

采用国产Bi系带材成功实现19T以上高磁场，标志着我国在研制高场内插磁体方面减少了对进口导线的依赖，也标志着我国在研制高场磁场方向工艺技术更加完善，为实现25～32T超高场全超导磁体创造了条件。