刘朝霞，楚合营，黄新成，胡芸莎

(塔里木大学机械电气化工程学院，阿拉尔843300)

1 引 言

CdO 是一种n 型宽禁带半导体，未掺杂CdO晶体的禁带宽度为2.28eV［1］，对应的吸收波长为550 nm. 因其在光学和电学方面的特殊性质，以及在太阳光谱可见光区的高透光率，使其在太阳能、透明电极、光电晶体管、催化剂等方面都有很好的应用前景. 纳米CdO 的形貌及性质已成为人们关注的热点［2，3］. CdO 材料对液化气等气体具有独特的气敏性，以及较低的电阻，较高稳定性，使其在气敏传感器方面也有很大的应用潜力.CdO 作为镍镉系列碱性可充电池的负极活性物质，其性能的优劣直接影响电池的质量，是制约镍镉电池综合性能指标的关键材料. 现阶段我国的CdO 多为小规模生产，产品质量较差，性能不稳定，尤其是CdO 粉末粒度的控制仍是一个较为突出的难题，国内许多电池厂迫切希望国内能提供高品质的活性CdO 电池材料.

对CdnOn半导体团簇进行研究，有助于人们对CdO 晶粒及薄膜的光学以及电子性质的研究.但是，由于团簇的电子性质对团簇的结构比较敏感，同时随着原子个数的增加，团簇的初始结构逐渐增多，计算工作量也越来越大，因此给较大CdnOn半导体团簇的理论研究带来了极大的挑战.据我们了解，相对其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料而言，对CdO 半导体材料的研究文献报道还比较少. 例如，Ghazi Y N 等人［4］利用化学喷雾法制备出不同厚度的CdO 薄膜，并对其光学性质进行表征分析. Nabi Z 等人［5］利用密度泛函理论研究了……