ITO电极修饰对PMMA绝缘层性能的影响
2015-07-07任娜王伟
河北工业大学学报 2015年3期
任娜,王伟
(河北工业大学电子信息工程学院,天津 300401)
ITO电极修饰对PMMA绝缘层性能的影响
任娜,王伟
(河北工业大学电子信息工程学院,天津 300401)
使用苯膦酸分子对ITO基底进行表面修饰,接触角测量表明修饰后ITO表面疏水性提高,修饰前ITO对水的接触角为23.25°,修饰1 h、2 h、3h后接触角分别为50.75°、71.50°和73.25°,原子力显微镜测试表明在修饰时间为2 h时达到最小表面粗糙度2.10 nm.然后通过旋涂的方法在ITO玻璃衬底上制备PMMA绝缘层,ITO修饰之后可以得到更加均匀致密、粗糙度更小的PMMA薄膜,粗糙度达到0.481 nm.最后真空蒸镀Al电极,得到ITO/PMMA/Al电容结构,利用AgilentB1500A半导体参数测试仪,通过C-V和I-V方法的检测它的电学特性.实验结果表明,使用苯膦酸修饰ITO表面后可以得到粗糙度更小,漏电流更小,稳定性更佳的PMMA绝缘层.
ITO;修饰;PMMA;绝缘层;表面粗糙度;电学特性
0 引言
氧化铟锡(ITO)以良好的电学传导性、光学透明性被广泛应用于器件制备中,玻璃衬底良好的透光性与ITO成熟的制备工艺使得ITO玻璃在器件制备中得到研究人员的青睐.随着对有机器件研究的深入,ITO电极与有机材料的结合在有机太阳能电池[1,2]、有机发光二极管[3,4]等方面得到广泛的应用与研究.众所周知,绝缘层的性能是影响有机器件的关键所在,而绝缘层的性能与绝缘材料密切相关外,同时受到电极表面性质的制约.ITO表面羟基的存在使得其表面具有亲水性[5],影响到绝缘层的分子排列与表面形貌,进而对绝缘层的性能产生重要影响.羟基可以与某些有机酸发生……
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