GB/T 12963—2014《电子级多晶硅》。规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

GB/T 14849.5—2014《工业硅化学分析方法 第5部分：杂质元素含量的测定X射线荧光光谱法》。规定了工业硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定方法。适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定。

GB/T 2881—2014《工业硅》。规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单（或合同）的内容。适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅，主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

GB/T 30656—2014《碳化硅单晶抛光片》。规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单（或合同）内容。适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。

GB/T 30866—2014《碳化硅单晶片直径测试方法》。规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。适用于碳化硅单晶片直径的测量。

GB/T 30867—2014《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》。规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法，包括接触式和非接触式2种方式。适用于直径不小于30mm、厚度为0.13～1mm的碳化硅单晶片。

GB/T 30869—2014《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》。规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。适用于符合GB/T 26071、GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量，分立式测量方法适用于接触式及非接触式测量，扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许的情况下，也可用于其他规格硅片的厚度及总厚度变化的测量。

GB/T 31034—2014《晶体硅太阳电池组件用绝缘背板》。规定了晶体硅太阳电池组件用绝缘背板的分类、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。适用于晶体硅太阳电池组件用绝缘背板。

GB/T 31058—2014《电子工业用气体 四氟化硅》。规定了四氟化硅的技术要求、试验方法、标志、包装、运输和贮存等内容。适用于萤石硫酸法、六氟硅酸盐热分解法、单质硅直接氟化法制备的四氟化硅。它主要用作电子工业中等离子蚀刻、发光二极管P形掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料，也是生产多晶硅的重要原料。

GB/T 31289—2014《海工硅酸盐水泥》。规定了海工硅酸盐水泥的定义、组成与材料、强度等级、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输与贮存等。适用于海工硅酸盐水泥。

GB/T 31351—2014《碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》。规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在1微米至几十微米的微管密度的测量。

GB/T 31545—2015《核电工程用硅酸盐水泥》。规定了核电工程用硅酸盐水泥的定义、材料要求、强度等级、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存等。适用于核电工程用硅酸盐水泥。

GB/T 3884.16—2014《铜精矿化学分析方法 第16部分：二氧化硅量的测定氟硅酸钾滴定法和重量法》。规定了铜精矿中二氧化硅含量的测定方法。适用于铜精矿中二氧化硅含量的测定。方法1的测定质量分数为0.50%～32.00%；方法2的测定质量分数为0.50%～40.00%（注：本部分方法2为仲裁方法）。

GB 51034—2014《多晶硅工厂设计规范》。其中，第4.2.8、6.1.3(9)、6.1.6(3)、6.2.8(3)、8.1.1、8.2.1(2、3、5)、8.2.5(3)、8.3.1(2、3)、8.3.2(2)、8.6.4、9.1.3、9.3.4、9.4.3、9.5.2、10.1.3、10.3.4、10.3.6、10.3.9、11.1.6、11.2.3、12.2.5条（款）为强制性条文，必须严格执行。适用于采用三氯氢硅氢还原法的新建、扩建和改建多晶硅工厂的工程设计，也适用于硅烷歧化法多晶硅厂中三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和氯硅烷提纯的工程设计。

GB/T 6730.10—2014《铁矿石 硅含量的测定 重量法》。规定了用重量法测定铁矿石中硅含量。适用于天然铁矿石、铁精矿和人造块矿，包括烧结产品。测定范围：质量分数1.00%～15.00%。方法1不适用于还原剂质量分数大于2%的铁矿石，例如黄铁矿，或氟质量分数超过0.1%的铁矿石。此法推荐用于两性元素含量较高的低品位矿石。方法2可用于氟质量分数量大于0.1%的铁矿石。此法推荐用于含脉石低的高品位矿石。

HG/T 4692—2014《工业氟硅酸铵》。规定了工业氟硅酸铵的要求、试验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输、贮存。适用于工业氟硅酸铵。该产品用于阻燃剂、玻璃蚀刻剂、纺织品的防蛀剂、木材防腐剂、洗衣粉添加剂、印染、镀镍钝化、润滑剂添加剂及制备多晶硅等。也用于轻金属浇铸，铜、铁、锌的电镀液、绿砂中提钾及制取人造冰晶石和氯酸铵等。

HG/T 4693—2014《工业氟硅酸钾》。规定了工业氟硅酸钾的要求、试验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输、贮存。适用于工业氟硅酸钾。该产品用于光学玻璃制造、陶瓷制造、合成云母、铝镁的冶炼及稀有金属的提取等，还用于电碳材料添加剂、木材防腐剂、杀虫剂、焊接材料和铬电镀等。

HG/T 4734—2014《纺织染整助剂 氨基硅油柔软剂 黄变性能的测定》。规定了纺织染整助剂中氨基硅油柔软剂黄变性能测定的试验方法。适用于纺织染整助剂中氨基硅油柔软剂黄变性能的测定。

HG/T 4755—2014《聚硅氧烷涂料》。规定了聚硅氧烷涂料的要求、试验方法、检验规则及标志、包装和贮存等内容。适用于以含反应性官能团的聚硅氧烷树脂为主要成膜物，并加入适量的改性树脂、颜填料、助剂、溶剂等辅料，非多异氰酸酯固化的常温固化型钢结构表面用高耐久性面漆。

HG/T 4789—2014《工业用甲基三乙氧基硅烷》。规定了工业用甲基三乙氧基硅烷的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和安全。适用于以甲基三氯硅烷为原料，与乙醇反应后精制而得的甲基三乙氧基硅烷。

HG/T 4804—2015《甲基高含氢硅油》。规定了甲基高含氢硅油的产品结构式、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。适用以甲基二氯硅烷为原料，三甲基一氯硅烷为封端剂，在酸性介质中聚合而成的甲基高含氢硅油。

JB/T 3078—2015《电气绝缘用漆 有机硅浸渍漆》。规定了电气绝缘用有机硅浸渍漆的分类与命名、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮存和运输。适用于电气绝缘用H级有机硅浸渍漆。

JB/T 7093—2015《绝缘软管 硅树脂玻璃纤维自熄管》。规定了电气用硅树脂玻璃纤维自熄管的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。适用于由无碱玻璃纤维编织管经高温处理涂以有机硅共聚树脂而成的电气用自熄管。

JB/T 9448—2015《静电复印机用硅橡胶定影压力辊技术条件》。规定了静电复印机用硅橡胶定影压力辊的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存的要求。适用于静电复印机用硅橡胶定影压力辊，激光打印机用硅橡胶定影压力辊可参照执行。

JC/T 2235—2014《混凝土用硅质防护剂》。规定了混凝土用硅质防护剂的术语和定义、分类、标记、技术要求、试验方法、检验规则以及标识、保证、运输及贮存。适用于喷涂或刷涂在混凝土表面，通过渗透到混凝土内部且不明显改变混凝土外观，从而达到提高混凝土表面性能的硅质防护剂产品。

JC/T 2236—2014《预应力高强混凝土桩用硅砂粉应用技术规程》。规定了硅砂粉在预应力高强混凝土桩生产中作为混凝土掺合料替代部分水泥使用时的进货要求、运输和储存要求、工艺技术要求。适用于采用蒸压养护工艺时硅砂粉在预应力高强混凝土桩生产中使用的技术规定。硅砂粉在其它混凝土制品生产中使用时也可参照执行。

JC/T 2247—2014《硅酸锆研磨介质球》。规定了硅酸锆研磨介质球的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等。适用于尺寸介于φ0.5～15mm、硅酸锆原料质量分数大于60%的研磨介质球。

JC/T 2273—2014《硅烷/硅氧烷建筑防护剂中有效成分含量及有害物质测定方法》。规定了硅烷/硅氧烷建筑防护剂中有效成分和有害物质测定的术语和定义、试验方法和试验报告。适用于硅烷、硅氧烷建筑防护剂中硅烷和硅氧烷有效成分的测定。适用于硅烷、硅氧烷建筑防护剂中甲醇、苯、甲苯、乙苯和二甲苯总和、挥发性有机化合物、水溶性氯离子等有害物质的测定。

JT/T 991—2015《桥梁混凝土表面防护用硅烷膏体材料》。规定了桥梁混凝土表面防护用硅烷膏体材料的术语和定义、分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则，以及标志、包装、运输和储存。适用于对混凝土桥梁结构表面防护用的硅烷膏体材料的生产和使用。

QB/T 2346—2015《口腔清洁护理用品牙膏用二氧化硅》。规定了牙膏用二氧化硅的产品分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和保质期。适用于化学反应方法制备之二氧化硅系列产品，主要用于牙膏。

SJ/T 11491—2015《短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量》。规定了用短基线红外光谱法测定硅中间隙氧含量。

SJ/T 11493—2015《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》。规定了用二次离子质谱法（SIMS）对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。

SJ/T 11494—2015《硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法》。规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。

SJ/T 11495—2015《硅中间隙氧的转换因子指南》。规定了硅中间隙氧的转换因子指南。

SJ/T 11498—2015《重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法》。规定了用二次离子质谱法（SIMS）对重掺硅衬底单晶体中总氧含量的测试方法。

SJ/T 11499—2015《碳化硅单晶电学性能的测试方法》。规定了利用范德堡法测试6H、4H等晶型碳化硅单晶的导电类型、电阻率、迁移率、载流子含量的方法。

SJ/T 11500—2015《碳化硅单晶晶向的测试方法》。规定了利用X射线衍射定向法测定6H、4H等晶型碳化硅单晶晶向的方法。

SJ/T 11501—2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》。规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶的结晶类型的方法。

SJ/T 11502—2015《碳化硅单晶抛光片规范》。规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。

SJ/T 11503—2015《碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法》。规定了用表面轮廓仪和原子力显微镜测定碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法。

SJ/T 11504—2015《碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法》。规定了碳化硅单晶抛光片表面质量的目视检验方法，观察样品表面的六方孔洞、划痕、凹坑、颗粒、沾污、亮点缺陷、裂纹、崩边的数量并用钢板尺测量划痕的总长度等。

DB 33/972—2015《太阳能晶体硅单位产品可比电耗限额及计算方法》。规定晶体硅太阳能电池生产过程中，单位产品可比电耗限额及计算方法。适用于浙江省内晶体硅太阳能电池生产企业单位产品可比电耗的计算、考核及电耗控制。