崔 宁，张 娟，李航宇，宋 德

（长春理工大学 理学院，吉林 长春130022）

1 引 言

众所周知，有机薄膜晶体管（OTFT）由于自身材料的柔韧性和广泛性，能够满足电子工业低成本、大面积柔性的发展需求，在柔性显示器件制备等方面具有很大的应用前景［1－2］。在过去的几十年里，有机薄膜晶体管的性能取得了极大的提高，有机材料的选择与器件性能的优化得到了人们广泛的关注。而高度有序的、无缺陷的有机半导体薄膜是制备高性能OTFT 的必要条件［3］。目前可采用界面修饰、控制蒸发条件、基底温度、退火或诱导层等方法获取高质量的有机半导体薄膜，从而提高器件载流子迁移率。而采用绝缘层修饰的方法来优化器件性能也得到了广泛的关注。例如应用聚苯乙烯／氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层，相比于未修饰的二氧化硅表面提高了表面生长的并五苯晶体尺寸，减小晶粒间的界面，并成功制备出了高性能的并五苯薄膜晶体管［4］。在绝缘层SiO2衬底上旋涂一层聚（4－乙 烯 基 苯 酚）（PVP）作 为 表 面 修饰 层 制 备TIPS并五苯有机薄膜晶体管，能够有效地改善有机半导体薄膜的形貌［5］。利用十八烷基三氯硅烷修饰二氧化硅表面制备超疏水涂层，能够有效地形成光滑、平整的SiO2－OTS复合薄膜，具有良好的疏水性［6］，相应的器件性能得到很大提高。

有机半导体种类繁多，其中金属酞菁化合物是一种重要的p－型有机小分子材料，具有良好的物理和化学稳定性［7－8］，目前被广泛应用于有机薄膜晶体管的研究中。……