李新峰 魏光辉 潘晓东 李 凯 孙肖宁

（军械工程学院静电与电磁防护研究所，河北 石家庄050003）

引 言

电子设备所面临的电磁环境日益复杂和恶劣［1］，同时微电子技术的发展导致电子部件及电路的工作频率不断提高、工作电压却逐渐降低［2］.这些因素均对电子设备的安全性和可靠性构成了严重威胁［3］.由于信号传输、显示及通风散热等的需要，电子设备机箱不可避免地开有孔缝，若孔缝中有导线穿过，导线引入的电磁能量将影响内部敏感电路的正常工作［4］.因此，有必要对金属腔体加载贯通导线后的电磁耦合特性开展研究.

文献［5］采用传输线法建立了短贯通导线的电磁耦合等效电路模型，但该方法限定于导线与腔体相连接且腔体为矩形腔体的情形；文献［6］运用快速多级子算法对贯通导线长度为辐射频率半波长时腔内屏蔽效能进行了研究，其导线末端未连接电路；Syarfa对带有孔缝及贯通导线的金属腔体的屏蔽效能进行了研究［7-8］；国内有关人员主要采用时域有限差分（Finite Difference Time Domain，FDTD）法对电磁脉冲辐射条件下贯通导线端接电路电流耦合响应进行了数值建模分析［9-11］.文献［12］运用瞬态电磁拓扑理论与Spice软件的混合方法对贯通导线内部电路的电磁脉冲响应开展了研究.分析发现，国内外已有文献主要是采用数值计算方法从时域角度对电磁脉冲辐射条件下导体贯通腔体内部连接电路响应进行了研究，而关于贯通导线连接电路后腔体内部的……