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晶体硅太阳能电池黑心片的分析及处理方案

2015-02-05三江学院赵俊霞

电子世界 2015年13期
关键词:分析

三江学院 赵俊霞

晶体硅太阳能电池黑心片的分析及处理方案

三江学院 赵俊霞

为节约能源,高转换率的晶体硅太阳能电池被广泛应用,而在低档片中黑心片占有很大的比例,本文对该类硅片进行测试、分析、查找原因,发现转换率低的主要原因是衬底含有大量的位错,形成少数载流子的强复合中心,严重影响硅片的少子寿命,最终影响电池转换率,发电量的减少。依据分析,为提高转换率,电池厂商应提出位错的供货标准,硅片厂商改善工艺方案。

太阳能电池;位错;少子寿命

引言

目前全世界都在积极生产各种相关的节能新产品,晶体硅太阳电池被广泛应用,占据太阳电池的主要市场。但是,晶体硅太阳电池存在着固有弱点,降低成本与提高效率是现在两大主要任务单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构,其电池效率明显高于多晶硅电池,是硅基高效太阳能电池的首选材料[1]。而在一些低转换率电池片中,黑心片占有很高的比例,本文对该类硅片进行分析,查找原因,提出要求,进而提高转换率。而少数载流子的强复合中心,严重影响硅片的少子寿命,最终影响电池和组件性能,本文针对该现象进行研究,解决黑心片的问题,从而提高效率。

1 晶体硅太阳能电池黑心片的分析

单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能电池的效率,比如:光照条件下B-O复合体的产生会导致单晶电池的光致衰减;内部金属杂质和晶体缺陷(位错等)的存在会成为少数载流子的复合中心,影响其少子寿命。……

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