陈 薇，孙丰强

(华南师范大学化学与环境学院，广州510006)

二氧化锡(SnO2)是一种常见的宽带隙半导体材料，由于其稳定的化学性质且无光腐蚀，使其具有与半导体光催化剂TiO2相似的稳定性能，因而具备理想光催化剂的应用潜力［1－2］.SnO2可与其他半导体材料形成复合光催化剂来降解有机污染物，如和

研究表明介孔结构的半导体光催化剂具有较大的比表面积，可提供有效的反应分子传输通道和反应活性点，能大幅度提高材料的光催化性能［7－9］.与其他多孔半导体材料相似，纳米多孔结构可增加SnO2的光催化活性.目前这些多孔材料的制备方法主要有:溶胶－凝胶法［10］、超声法［11］、水热法［12］等.但在制备过程中，通常需要多步反应、高温处理，或需要表面活性剂以及其它成本高的原材料.

本文采用光化学合成技术，以二价锡盐(SnSO4)为基本原料，利用低功率紫外灯辐照诱导气液界面反应制备具有光催化功能的纳米多孔SnO2，该方法具有反应速度快，能耗低，环境友好等特点.通过改变前驱体溶液中H2SO4物质的量浓度来控制纳米多孔SnO2的比表面积，并以罗丹明B(简称RhB)为目标降解物来检测其光催化性能.分析前驱体溶液中不同H2SO4浓度、不同光源、不同样品用量对纳米多孔SnO2光催化性能的影响.

1 实验方法

1.1 纳米多孔SnO2 的制备

实验中所用的硫酸亚锡来自广州化学试剂厂;罗丹明B(RhB)，硫酸来自天津大茂化学试剂厂，均为分析纯试剂，使用前未经任何处理.

准确称取2.68 g SnSO4，分别将其溶于H2SO4浓度(物质……