陈旭明，姚升宇，许奕，陈智维，胡喆凯，徐冰，赵国旗

上海交通大学附属第一人民医院放射治疗科，上海 201620

全身放射治疗主要用于骨髓移植或外周血干细胞移植前的免疫抑制和机体内的恶性肿瘤细胞的消灭[1-2]，目前已大量应用于各类白血病、淋巴瘤的治疗中。然而，其质量控制相对比较困难。MOSFET是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，其特点是体积小、对各能量级的X射线和电子线有很好的能量效应、不受剂量率与温度气压影响、剂量仪刻度方便、灵敏度高、剂量重复性好等，目前已被应用于临床X线剂量的测量中[3-4]。本文主要探讨MOSFET探测器用于全身放疗质量控制的方法。

1 治疗设备与剂量检测设备

治疗设备使用Siemens Oncor直线加速器，将机架角旋转至270°，机头旋转45°，射野开至最大野40 cm×40 cm，能量选取6 MV，放射源至患者中心（脐下4 cm处）距离为360 cm；同时为保证射野范围内的平坦度，要在机头前插入一块自制均整挡铅块使射野剂量均整度控制在±5%以内。

剂量检测仪分别采用NE2670剂量检测仪和加拿大Thomson Nielsen公司制造的MOSFET 20型剂量检测仪。

2 治疗照射剂量

照射剂量由血液科根据患者的病情决定。一般分为以下几种情况：照射剂量3 Gy，患者仰卧于治疗床上，1次性完成，在照射剂量完成1/2时更换头脚方向以使左右两侧剂量保持均匀；照射剂量6 Gy，患者仰卧于治疗床上，在1天内分2次完成，每次照射3 Gy，间隔6 h；照射剂量10 Gy，分5次完成，前3次患者坐在全身放疗亭中行前后位放疗，用合金铅模遮挡肺部，后2次患者仰卧于治疗床上，1次照射2 Gy，1天2次，间隔6 h。……