杨建会, 范 强, 张建平

（乐山师范学院物理与电子工程学院,四川乐山614004）

双电子复合（DR）过程对高温低密等离子体中建立和维持等离子体的电离平衡以及离子的激发态布居起重要作用.双电子复合过程可以用KLL、LMN、LMO等描述,类氦离子基态的KLn双电子复合过程是指处于基态（1s2）的一个电子被入射自由电子激发到2l轨道,同时自由电子损失了部分能量被俘获到nl′轨道,形成1s2lnl′双激发态,该双激发态通过辐射衰退到不能再自电离的单激发态的过程.2010年,我们使用相对论组态相互作用（RCI）方法计算了类氦I离子的KLL双电子复合过程［1］,计算得到的类氦I离子KLL双电子复合截面和共振强度与Y.L.Shi等［2］使用多组态Dirac-Fock（MCDF）方法计算的结果符合得很好,两者均与2007年H.Watanabe等［3］使用电子束离子阱实验装置得到的双电子复合共振强度相符合,但双电子复合截面的共振位置与实验相比均向右移动了420 eV,电子束离子阱实验的扫描电子束能量是通过和理论计算的共振能量对比得到的［4］,因此实验得到的KLL DR谱应向右移420 eV,对实验结果的分析起了指导作用.近年来,实验中不断观测到高离化类氦离子的KLn双电子复合过程［5-12］.1998年,T.Fuchs等［13］首次从实验和理论方法得到了Kr34+分辐射通道的双电子复合共振强度,随着实验条件的改善,将有越来越多分辐射通道的双电子复合过程被观测到.本文使用相对论组态相互作用方法（RCI）研究I51+离子的KLn双电子复合过程的双电子复合截面、速率系数以及分辐射通道的双电子……