王瑞

（宝鸡文理学院 物理与信息技术系，陕西 宝鸡 721013）

大功率IGBT功耗的研究

王瑞

（宝鸡文理学院 物理与信息技术系，陕西 宝鸡 721013）

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是复合全控型电压驱动式功率半导体器件。为了改善其功耗性能并进行进一步优化，论文在阐述IGBT特性基础上，通过从器件构成和实际应用角度对影响功率器件功耗的主要因素进行分析，并结合实践对IGBT功率器件的功耗进行深入研究，由此可以更深刻地理解IGBT功耗的产生，这对正确选择和使用IGBT器件及其系统有一定的实用价值。

IGBT；功率损耗；结构；特性；输入电阻

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。在超高电压电力传输、新能源的开发利用、变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域获得广泛应用，但所有电力电子器件在实际应用中最受关注的就是它的功耗，IGBT也不例外[1]。器件的功率损耗不仅对产品的结构设计至关重要，而且对其在实际应用中的选择和使用也是举足轻重，那么要提高器件的工作效率和实际应用效果的一个重要过程就是降低器件的功率损耗，同时降低器件的功率损耗也是国际上电力电子器件研究的一个热点。论文是在阐述IGBT结构和特性基础上，对功率器件IGBT的静态功耗和动态功耗进行研究探讨，并从不同角度出发对影响功率器件IGBT功耗的几个主要因素进行分析研究。……