袁书卿， 宋月丽， 田明丽， 李 勇， 周丰群

(平顶山学院 电气信息工程学院， 河南 平顶山 467000 )



热中子俘获反应对相应的快中子(n，2n)反应截面测量的影响

袁书卿， 宋月丽， 田明丽， 李 勇， 周丰群*

(平顶山学院 电气信息工程学院， 河南 平顶山 467000 )

以14 MeV快中子引起的52Cr(n， 2n)51Cr反应截面的测量为例，研究热中子俘获反应对相应的快中子(n，2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50Cr(n， γ)51Cr对相应的快中子52Cr(n， 2n)51Cr反应截面测量的影响，在对样品包镉和不包镉两种情况下，分别测量了14 MeV中子引起的52Cr(n，2n)51Cr反应截面.单能中子用T(d， n)4He反应获得，中子通量用监督反应93Nb(n， 2n)92mNb测量，而中子能量通过93Nb(n， 2n)92mNb和90Zr(n， 2n)89m+gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.

热中子俘获反应； 快中子(n，2n)反应； 截面； 活化法

1实验过程

反应产物的γ放射性用国产CH8403同轴高纯锗γ谱仪测量，相对效率为20%，对1.33 MeV γ射线的能量分辨率为3 keV.对探测器的γ探测效率进行了精确刻度[15]：把美国国家标准局生产的SRM4275(Standard Reference Material 4275)型标准源放在距离高纯锗晶体20 cm处，进行该处的绝对效率刻度，得出绝对刻度曲线.由于在实际测量时，样品放在距离晶体2 cm处，所以用一组单能源分别在20 cm和2 cm处分别测出这两个位置各条γ射线的效率比，然后从这组不同能量的效率比和上述20 cm的绝对效率刻度曲线，计算出2 cm处的绝对效率刻度曲线.标准源的误差小于1%，在2 cm处所定的效率误差小于1.5%.被测剩余核的半衰期，γ射线的能量和强度，以及靶核的丰度列于表1中，这些数据取自文……