王 岳

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

通过淀积-腐蚀-淀积实现平坦化的研究

王 岳

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

在半导体器件和集成电路的研制和制备过程中，随着工艺水平的提高及技术进步，双层乃至多层布线越来越多，尺寸也越来越小。然而，在尺寸较小、台阶较高的情况下，如果在第一层金属上淀积介质后直接形成上层布线就会导致断条现象的出现，这就导致了平坦化成为非常重要的一项工艺。给出了平坦化工艺的基本原理，通过优化工艺条件并进行实验验证，确定了平坦化的最佳工艺条件，可以确保进行一次金属刻蚀以后，片子表面仍能基本平坦，这样就为二次布线打下了良好基础，杜绝了断条现象的产生。

平坦化；刻蚀速率；二氧化硅；光刻胶

1 引 言

在半导体行业的制造工艺中，平坦化作为一项重要工艺具有非常重要的作用。对于台阶较高尺寸较小并且采取双层金属布线工艺的电路来说，会在第一层金属线条形成后出现金属台阶。这时如果仅仅在淀积上介质后就开始形成上层布线的话，势必会导致第一层金属台阶被传递到上层金属。这样就会导致上层金属在刻蚀时位于台阶的位置很容易出现断条的现象，所以在淀积介质前有必要使表面趋于平坦。以下介绍了平坦化的基本原理，从大量工艺试验中摸索工艺条件，给出了淀积-腐蚀-淀积平坦化技术，从根本上解决了出现断条的问题。……