徐 衡，林洪春，唐 冬

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

PECVD工艺中氮化硅薄膜龟裂研究

徐 衡，林洪春，唐 冬

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

PE氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而，氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素，因此，科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜技术的原理，通过实验验证，确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因，优化工艺条件，确定了PECVD氮化硅的最佳工艺条件，杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。

等离子体化学气相淀积；氮化硅薄膜；龟裂；钝化

1 引 言

微电子行业的制造工艺中，等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术是近几年来极受重视的制备介质膜的先进工艺技术。它允许衬底保持在较低温度（一般在300℃-450℃）下生长介质薄膜。由于铝是在400℃-500℃进行退火的，因而蒸铝后的器件制作钝化介质膜需要在低温下进行。PECVD氮化硅除了有优越的低温沉积特性外，与热反应相比，它还能增强淀积速率，获得均匀组分和特性的介质膜。PECVD氮化硅沉积技术除了用于制作器件的钝化膜、增透膜外，它还可以用于制作光电器件扩散工艺的阻挡层，以形成所需的 PN结。虽然PECVD氮化硅膜特性好，但片面发黄、龟裂等问题一直影响其使用。下面介绍了PECVD氮化硅薄膜的生长原理以及影响其质量的主要因素，从大量的工艺试验中摸索工艺条件，制造了优质的PECVD氮化硅薄膜，解决了氮化硅片面发黄、龟裂问题。……