一种新型双级Boost升压拓扑结构
2014-04-21王海超周继军
硅谷 2014年5期
王海超+周继军
摘 要 传统的单级Boost升压电路拓扑结构升压幅度有限,不适用于升压幅度较大的场合。本文提出了一种新型双级Boost升压电路拓扑结构,它由两组单独的单级Boost升压电路组合而成,可以有效的解决该问题。仿真结果证明了这种新型拓扑结构的有效性。
关键词 双级Boost升压变换;拓扑结构;pspice仿真;逆变升压
中图分类号:TM461 文献标识码:A 文章编号:1671-7597(2014)05-0054-03
随着社会的发展,逆变电源在人们的生活中扮演者越来越重要的角色。在逆变电源中经常采用“升压—逆变”结构,升压一般是将蓄电池低电压升压至315 V,再经逆变、滤波器滤波而得到工频电压。升压部分有很多种拓扑结构,例如推挽式、Boost式等升压拓扑结构。
Boost拓扑结构的硬件电路比较简单,升压电感的设计也较为容易,且转换效率也比较高,大部分Boost电路转换效率都在0.92以上,因此在需要升压场合下应用较为广泛。但是单级Boost升压拓扑结构的升压比较小,如果升压幅度较大,就比较容易使开关管开通占空比较大,甚至接近于1。但是Boost电路一般是不允许开通占空比超过0.88的,因为开关管在开通占空比超过0.88后将失去升压作用,况且较大的开通占空比会导致开关管的温升和损耗过大,严重时会导致开关管损坏以至于整个电路无法正常工作。实际上开关管的开通占空比一般不超过0.85。
目前很多升压幅度较大,但功率不太大的场合下会优先采用推挽式变换器来实现升压,但是在大功率场合下,Boost升压器仍然是首选的电路拓扑结构。……
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