黄 灿 杨 康 马明旺 海 洋 张增艳 赵红卫 朱智勇

1（中国科学院上海应用物理研究所 嘉定园区 上海 201800）

2（中国科学院大学 北京 100049）

3（中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳 621900）

太赫兹(THz)技术在材料科学、生物成像、反恐等领域有着广阔而重要的应用前景[1−2]。这项技术的巨大潜力促使研究者们努力寻找各种手段来优化太赫兹系统的功能。作为太赫兹系统中最核心的组件，太赫兹发射源的性能对整个系统的功能有着重要的影响，因此，太赫兹发射源的研究一直以来都是人们关注的重点。太赫兹波的发射效率非常显著地依赖于太赫兹波发射材料的性质。通常，人们采用低温生长的砷化镓(LT-GaAs)来制备太赫兹波发射材料。这种材料具有非常高的电阻率(>107Ω·cm)以及很好的载流子迁移率(100−300 cm2·V−1·s−1)[3]，能够用于制备优良的太赫兹波发射源。然而，由于低温生长的砷化镓的性质非常敏感地依赖于其生长温度以及退火条件，因而在工业生产中不易有效地控制产品的质量。考虑到离子辐照技术能够通过调控辐照离子的种类、能量以及剂量来调控材料微观结构和宏观性能，人们开始尝试通过离子辐照技术来制备太赫兹波发射所需要的光电导材料[4−7]。已有的研究结果表明，辐照法制备的光电导材料能够具有和低温生长的砷化镓几乎相同的性能。

为了确定制备 THz光电导材料的最佳辐照条件，需要深入认识离子辐照材料产生THz波的内在机理。本工作实验测量了氮离子辐照砷化镓(GaAs)和掺铁磷化铟(InP(Fe))样品的太赫兹波发射性能，并通过数值模拟研究了辐照产生的缺陷对太赫兹波发射性能可能的影响。